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J-GLOBAL ID：201702211159426710   整理番号：17A1786640

マグネトロンスパッタリングによるAlドープ窒化銅薄膜の調製に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on the Al doped Cu3N films prepared by magnetron sputtering

著者 (3件)： Yuan Zuobin (湖北民族学院 理学院,湖北 恩施,445000) ,  Zuo Anyou (湖北民族学院 理学院,湖北 恩施,445000) ,  Li Xingao (南京郵電大学 材料科学与工程学院,南京,210046)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 48  号： 5  ページ： 5180-5184  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： AlドープCu3N薄膜を,マグネトロン共スパッタリング法によりガラス基板上に調製し,その結晶構造,表面形態,光学的性質,電気的性質を調べ,Alドーピングによるピーク位置の変化がないことを示し,AlがCuの位置または結晶粒界に置換されたことを示した。ドーピング量が増加すると,結晶度は減少した。走査電子顕微鏡画像により、Alドーピング後、窒化銅結晶粒の形状が不規則になり、結晶粒界が曖昧になり、Alドーピングが窒化銅結晶の成長を抑制することが分かった。光学的バンドギャップを計算し,Alドーピングは窒化銅薄膜の光学バンドギャップを減少し,ドーピング量の増加と共に徐々に減少し,Alドープ窒化銅薄膜の光学バンドギャップの連続的調整を実現し,バンドギャップはAlの外部電子の局所状態から窒化銅のバンドギャップに減少した。中間状態が増加した。同時に,4つのプローブの試験は,ドーピング後の抵抗率が小さくなることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  電気抵抗率 ,  光学ギャップ ,  結晶構造 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *銅 ,  光学的性質 ,  結晶 ,  *窒化 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  結晶粒界 ,  結晶粒
準シソーラス用語： *窒化銅 ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： copper nitride ,  films ,  Al doping ,  optical properties ,  electronic properties

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： マグネトロンスパッタリング ,  Al ,  ドープ ,  窒化 ,  銅薄膜 ,  調製 ,  研究