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J-GLOBAL ID：201702211210911507   整理番号：17A0364643

Si(111)および(001)表面上のStranski-KrastanowによるGeの成長機構の違い:STM研究【Powered by NICT】

Different growth mechanisms of Ge by Stranski-Krastanow on Si (111) and (001) surfaces: An STM study

著者 (1件)： Teys S.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, 13 Lavrentyeva Aven., 630090 Novosibirsk, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 392  ページ： 1017-1025  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 濡れ層形成の構造的および形態学的特徴と準平衡成長条件下での(111)および(100)Si表面上の三次元Ge成長への転移を,走査トンネル顕微鏡により研究した。Si上の三次元Ge成長に濡れ層からの転移の機構を実証した。方位の異なる基板上のぬれ層形成に関与する原子過程の主要な違いと一般的傾向を実証した。Ge成長は減少した密度の新しい表面,空格子点および表面構造の形成によるGe原子の再分布と部分的な歪み緩和を伴った。濡れ層形成は,(111)表面に行った後三次元Ge島状構造の解析は核形成部位。Si(100)表面での三次元成長への転移は,粗いGe(100)表面上の単一{105}ファセット核形成から始まる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  島状構造 ,  表面再構成 ,  表面構造 ,  核形成 ,  *ケイ素 ,  MBE成長 ,  再分布 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  三次元 ,  ファセット
準シソーラス用語： シリコン(100) ,  歪緩和 ,  濡れ層 ,  *成長メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Stranski-Krastanow機構 ,  Ge-Si ,  表面再構成 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  成長 ,  STM ,  研究