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J-GLOBAL ID：201702211252595638   整理番号：17A0884240

金属接触によるWSe_2トランジスタの種々のおよび調整可能な輸送特性【Powered by NICT】

Various and Tunable Transport Properties of WSe₂ Transistor Formed by Metal Contacts

著者 (10件)： Liu Chunsen (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Yan Xiao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Zhang Enze (State Key Laboratory of Surface Physics, Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Song Xiongfei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Sun Qingqing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Ding Shijin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Bao Wenzhong (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Xiu Faxian (State Key Laboratory of Surface Physics, Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Zhou Peng (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 18  ページ： ROMBUNNO.201604319  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1原子厚さであることを2D材料の豊富な電子的および光学的性質は,多くの新しい電子応用のための道を開いた。一つの重要な応用は,種々の2D材料によって構築されたヘテロ接合におけるバンド間トンネリングを調べることである。ドレイン(Pt)とソース(Cr)電極を形成するために種々の仕事関数金属を用いて構築したゲート制御WSe_2トランジスタ。デバイスは作動の三モード,すなわち,顕著な負性微分抵抗を持つトンネルモード,後方バイアスのための二電子トンネル現象と遷移モード,最終的に整流特性を持つ従来のダイオードモードを示すことゲート変調できる。種々の2D材料によって構築されたヘテロ接合とは対照的に,これらの素子は,二桁の大きさで有意に増強されたトンネル電流,清浄界面から,大いに益するところがある可能性を示した。これらの結果は,金属の仕事関数の変調を用いた新しい電子デバイスの設計への道を開く。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *トランジスタ ,  界面 ,  トンネル効果 ,  バイアス ,  仕事関数 ,  整流 ,  光学的性質 ,  電子素子 ,  負性微分抵抗 ,  ゲート制御
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 大トンネル電流 ,  金属接触 ,  トンネル効果 ,  WSe2

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： トランジスタ ,  輸送特性