文献

J-GLOBAL ID：201702211309470119   整理番号：17A0887461

Mo/Cu2SnS3/ZnS薄膜スタック焼なまし中のRaman分光法を用いたCu2ZnSnS4吸収体形成のin situモニタリング【Powered by NICT】

In Situ Monitoring of Cu2ZnSnS4 Absorber Formation With Raman Spectroscopy During Mo/Cu2SnS3/ZnS Thin-Film Stack Annealing

著者 (5件)： van Duren Stephan (Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin, Berlin, Germany) ,  Ren Yi (Ångstroem Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Scragg Jonathan (Ångstroem Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Just Justus (Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin, Berlin, Germany) ,  Unold Thomas (Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin, Berlin, Germany)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 3  ページ： 906-912  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,Cu_2ZnSn(S,Se)4(黄錫亜鉛鉱)は持続可能な代替吸収体材料としてますます一般的になってきた。黄錫亜鉛鉱合成のための多くのプロセスは,高温アニーリング段階(>450 °C)を含んでいる。本研究は,550°Cまでの高温アニーリング中のその場モニタリング法としてのRaman分光法の可能性を調べた。Cu_2SnS_3(CTS)とCu_2ZnSnS_4(CZTS)の温度依存挙動は,参照目的のために調べた。CZTSの合成はガラス基板上の積層Mo/CTS/ZnS前駆体をアニーリングすることによって行った。前駆体スタックのアニーリングは,黄錫亜鉛鉱の形成をもたらし,338cm~~1でその主要Aモードによりその場モニターすることができた。より高い温度では,このモードは低波数側へシフトし,強度の広がりと減少した。これは熱膨張と非調和フォノン結合の複合効果に起因すると考えられる。ピーク位置のシフトは温度に直線的に比例する。,適切な較正を与え,プロセス中の338cm~ 1モードのピーク位置を決定する試料温度が得られた。Raman分光法によるin situモニタリングの実施は,黄錫亜鉛鉱合成におけるこの重要な高温アニーリング段階中に望ましいプロセス制御とモニタリングに向けて一歩前進である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 亜鉛鉱 ,  プロセス制御 ,  温度依存性 ,  *Raman分光法 ,  熱膨張 ,  *硫化亜鉛 ,  *吸収体 ,  フォノン ,  スズ ,  *薄膜 ,  前駆体 ,  高温 ,  *焼なまし
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  *CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： Mo ,  ZnS ,  薄膜 ,  スタック ,  焼なまし ,  Raman分光法 ,  Cu2ZnSnS4 ,  吸収体 ,  モニタリング