DENISOV K. S. について
Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS について
DENISOV K. S. について
Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN について
ROZHANSKY I. V. について
Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS について
ROZHANSKY I. V. について
Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN について
AVERKIEV N. S. について
Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS について
LAEHDERANTA E. について
Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN について
Semiconductors について
再結合 について
量子井戸 について
ヘテロ接合 について
依存性 について
マンガン について
光ルミネセンス について
共鳴トンネル効果 について
素子構造 について
ヒ化ガリウムインジウム について
ドーピング について
磁性不純物 について
キャリア について
不純物準位 について
スピン分極 について
化合物半導体 について
スピン依存性 について
ドナー準位 について
ヘテロ構造 について
共鳴トンネリング について
界面の電気的性質一般 について
半導体のルミネセンス について
磁性層 について
ヘテロ構造 について
スピン について
トンネリング について
再結合 について