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J-GLOBAL ID:201702211550705016   整理番号:17A1020061

反応N_2ガスとAl蒸着で成長させたAlNホイスカの形態【Powered by NICT】

Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor
著者 (9件):
資料名:
巻: 468  ページ: 576-580  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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種々の合成条件下でFe-Al合金メルトを用いて多結晶AlN基板上のAlNホイスカの形態を調べた。AlNホイスカの形成密度は増加し,ホイスカの直径はFe-Al合金溶融物のAl含有量の増加と共に減少した。AlNホイスカの大部分は六角形の断面を有するジグザグ形状である。縦方向は[0001]方向であった。ジグザグ形状でファセットが{11 01}または{11 01}ピラミッド面であり,ジグザグ型ファセットの期間はほぼ一定であった。ホイスカの平均直径とジグザグファセットの期間はAl含有量の増加と共に減少した。ホイスカ形成の初期段階では,AlN基板と錐体ファセット上に形成されたAlN島はステップフロー成長により成長した。観察から,ジグザグ形状AlNホイスカの形成の可能な機構を考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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