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J-GLOBAL ID：201702211694035764   整理番号：17A2006259

急冷プロセス中の液体GaNにおける結晶構造と欠陥【Powered by NICT】

Crystalline structures and defects in liquid GaN during rapid cooling processes

著者 (7件)： Gao Tinghong (Guizhou Provincial Key Laboratory of Public Big Data, Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Li Kaiwen (Guizhou Provincial Key Laboratory of Public Big Data, Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Li Yidan (Guizhou Provincial Key Laboratory of Public Big Data, Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Hu Xuechen (Guizhou Provincial Key Laboratory of Public Big Data, Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Ren Lei (Guizhou Provincial Key Laboratory of Public Big Data, Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Luo Xiangyang (Guizhou Provincial Key Laboratory of Public Big Data, Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Xie Quan (Guizhou Provincial Key Laboratory of Public Big Data, Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 74  ページ： 46-50  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三つの異なる冷却速度でのGaNの結晶構造と欠陥の形成はStillinger-Weberポテンシャルを用いた分子動力学シミュレーションに基づいて調べた。凝固過程中のGaNの構造特性により,いくつかの構造解析法で分析した。10~11 10K/sと10~12の速度で冷却した場合,システムは200Kで結晶を形成したが,10~13 10K/sの冷却速度で形成された非晶質状態はいくつかの結晶クラスタを含んでいた。<4000>および<2300>Voronoi多面体は高速冷却過程中のGaNにおいて支配的であった。<4000>多面体は低温でGaNの立方相と六方相を形成するために凝集することができた。凝固後,立方晶および六方晶構造をハイブリッド無秩序領域と結晶欠陥を持つ系における共存した。温度が10~11の速度で減少したとき,優れた構造安定性と構成的連続性を持つ,コヒーレント双晶境界は立方晶と六方晶結晶構造の容易に形成した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 六方晶系 ,  クラスタ ,  *結晶構造 ,  *窒化ガリウム ,  凝固 ,  構造解析法 ,  非晶質 ,  高速冷却 ,  *結晶 ,  構造特性 ,  格子欠陥 ,  冷却速度 ,  双晶境界
準シソーラス用語： 構造安定性 ,  分子動力学シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 構造特性 ,  液体GaN ,  コヒーレント双晶境界 ,  結晶欠陥

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 急冷 ,  プロセス ,  GaN ,  結晶構造 ,  欠陥