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J-GLOBAL ID：201702211787845892   整理番号：17A1223596

AZO/Ag(Al)/AZO透明導電膜の耐熱性

Thermal durability of AZO/Ag(Al)/AZO transparent conductive films

著者 (5件)： SUGIMOTO Yukiko (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  IGARASHI Kanae (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIRASAKI Shinya (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI Akihiko (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI Akihiko (Sophia Nanotechnology Res. Center, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 4S  ページ： 04EJ15.1-04EJ15.6  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いAg層およびAZO/Ag/AZO誘電体/金属/誘電体(DMD)透明導電膜(TCF)の表面モルフォロジー,シート抵抗,光透過スペクトルおよび耐熱性に及ぼすAlドーピングの効果を調べた。1.7at.%Alドーピングは,薄いAg層の初期島成長および光透過スペクトルのプラズモン共鳴吸収ディップを抑制した。パーコレーション伝導率の閾値厚さは9~10(純粋なAl層)から5~6nm(1.7at.%のAlドープAg層)に減少した。Ag層中のAlドーピングは,AZO/Ag/AZO-DMD TCFの耐熱性を改善した。Agボイド形成の閾値温度は,400°C(純Ag層を有するDMD)から600°C(10.5at.%のAlドープAg層を有するDMD)まで増加した。最適なアニール温度は,300°C(純Ag層DMD)から500°C(10.5原子%AlドープAg層DMD)に増加した。最大性能指数(FOM)は,純Ag層DMDおよび10.5at%AlドープAg層DMDについて,それぞれ,0.5×10^-2および1.1×10^-2Ω^-1であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *銀 ,  *サンドイッチ構造 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *透明導電膜 ,  *耐熱性 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  シート抵抗 ,  スペクトル ,  プラズマ共鳴 ,  共鳴吸収 ,  パーコレーション ,  比率 ,  空孔欠陥 ,  温度 ,  性能指数
準シソーラス用語： プラズモン共鳴 ,  ボイド【結晶】 ,  光透過スペクトル ,  伝導率 ,  熱処理温度 ,  表面モルフォロジー ,  AZO

分類 (2件)： 導体材料  (NA04020L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (36件)：

• K. Ellmer, Nat. Photonics 6, 809 (2012).
• B. G. Lewis and D. C. Paine, MRS Bull. 25 [8], 22 (2000).
• R. G. Gordon, MRS Bull. 25 [8], 52 (2000).
• Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto, K. Deguchi, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1084 (2006).
• C. G. Granqvist, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 91, 1529 (2007).

タイトルに関連する用語 (5件)： Azo ,  Ag ,  Al ,  透明導電膜 ,  耐熱性