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J-GLOBAL ID：201702211861298771   整理番号：17A0206090

2次元遷移金属二カルコゲン化物に基づいたオプトエレクトロニックデバイス【Powered by NICT】

Optoelectronic devices based on two-dimensional transition metal dichalcogenides

著者 (7件)： Tian He (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California) ,  Chin Matthew L (United States Army Research Laboratory) ,  Najmaei Sina (United States Army Research Laboratory) ,  Guo Qiushi (Department of Electrical Engineering, Yale University) ,  Xia Fengnian (Department of Electrical Engineering, Yale University) ,  Wang Han (Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California) ,  Dubey Madan (United States Army Research Laboratory)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 6  ページ： 1543-1560  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数年間において,多層単分子層に材料をスケーリングした場合には二次元(2D)遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)材料は,研究コミュニティ,そのユニークな電子的および光学的特性に起因して,バレー-スピン結合の範囲の間接-直接バンドギャップ遷移への注目を集めている。これらの特性は,通信,計算,およびヘルスケアの広い分野において重要な応用を持つ新しい電子およびオプトエレクトニックデバイスの開発のために魅力的である。TMDCファミリーの重要な特徴の一つは,材料の厚さは,多層から単原子層まで減少するときに起こる,これは多くのフォトニック応用のための良好な間接-直接バンドギャップ遷移である。TMDCも格子不整合問題の自由であることをそれらの層厚さの原子レベル制御による広範囲ヘテロ構造を構築するための前例のない柔軟性と汎用性を実証した。結果として,他の2D材料と組み合わせた層状TMDCは広い動作スペクトル範囲で新しい高性能オプトエレクトロニクス素子を実現するための可能性を持っている。本論文では,2D TMDCおよび光電子デバイス研究の合成における最近の進歩をレビューした。も2D材料のファミリーのスケーラブルな応用が直面している課題を論じ,ナノフォトニクス技術の将来の世代に対するこれら材料によって提供される機会に私たちの見方を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  レベル制御 ,  健康管理 ,  単原子層 ,  多層 ,  柔軟性 ,  *二次元 ,  格子不整合 ,  単分子層 ,  汎用性
準シソーラス用語： ナノフォトニクス ,  ヘテロ構造 ,  直接バンドギャップ ,  スピン結合 ,  *光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 遷移金属二カルコゲン化物(TMDCs) ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  二硫化モリブデン(MoS_2) ,  光検出器 ,  発光ダイオード(LED)

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 2次元 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  オプトエレクトロニックデバイス