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J-GLOBAL ID：201702212055002971   整理番号：17A1046983

横方向に成長させるとより良い性能が得られる:ZnOナノロッドネットワークに基づく電界効果トランジスタ

Laterally grown show better performance: ZnO nanorods network based field effect transistors

著者 (5件)： KUMAR Ashish (IIT Indore, Madhya Pradesh, IND) ,  DIXIT Tejendra (IIT Indore, Madhya Pradesh, IND) ,  BHARGAVA Kshitij (IIT Indore, Madhya Pradesh, IND) ,  PALANI I. A. (IIT Indore, Madhya Pradesh, IND) ,  SINGH Vipul (IIT Indore, Madhya Pradesh, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 15  ページ： 11202-11208  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,簡単な水熱経路によって合成した自己整合ナノロッド(NR)ネットワークを用いて,ZnO系電界効果トランジスタ(FET)を実証した。NRネットワークのモフォロジーは,前駆体溶液と添加物に強く依存することが分った。電子輸送機構は,界面トラップと表面欠陥に関連するNRサイズと方向によって強く影響を受けた。NRの整合と界面は,FET動作を決定する重要な因子であった。横方向整合NR FETのトランジスタパラメータ,即ち,電界効果移動度(μ_ef=9.04cm² V^-1 s^-1),閾値電圧(V_TH=-1.0V),相互コンダクタンス(g_m=15μS)及びオン-オフ比(I_on/I_off≒10³)を抽出し,その値は単一ナノワイヤ薄膜系溶液プロセスFETと良好に同等である。横方向整合NRネットワークは,移動度とI_on/I_off比の高い性能を持つFETを達成する上で望ましい。FET特性に基づくと,電荷捕獲とゲート-ソース電圧(V_GS)応力は,FET性能に影響を与える主要な原因であった。これは,低コストで簡単な製造法であるので,大面積トランジスタ製造の大きな可能性があり,チップにその場で集積できるZnO系多機能デバイスを開発する新しい道を開く。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ナノロッド ,  *酸化亜鉛 ,  ネットワーク ,  エピタクシー ,  横方向 ,  走査電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  電流電圧特性 ,  バンド構造 ,  水熱合成 ,  自己整合 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  前駆体 ,  添加剤 ,  輸送現象 ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  相互コンダクタンス ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： ZnOナノロッド ,  横方向成長 ,  電界効果トランジスタ ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 横方向 ,  成長 ,  ZnOナノロッド ,  電界効果トランジスタ