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J-GLOBAL ID：201702212133610586   整理番号：17A0911190

a-InGaZnO薄膜トランジスタのサブギャップ状態密度による赤外光検出の研究【Powered by NICT】

Investigation of Infrared Photo-Detection Through Subgap Density-of-States in a-InGaZnO Thin-Film Transistors

著者 (11件)： Lee Heesung (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Junyeap (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Jaewon (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Seong Kwang (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Lee Yongwoo (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Jae-Young (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Jang Jun Tae (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Park Jaewon (Department of Electrical and Electronic Engineering, South University of Science and Technology of China, Shenzhen, China) ,  Choi Sung-Jin (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Dae Hwan (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea) ,  Kim Dong Myong (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 584-587  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質InGaZnO(a IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)を,禁制バンドギャップ上のサブギャップ状態密度を通した赤外(IR)光検出器への応用の可能性について検討した。a-IGZO TFTにおけるサブバンドギャップ(hν<E_g)光応答の起源である光応答性サブギャップ状態(E_C-E_ph<E_t<E_F)からの光励起電子に起因した。サブバンドギャップ光の中で,残留光伝導(PPC)効果のない光検出器としてのa-IGZO TFTにおける再現性のある赤外光応答を調べた。本短報において,筆者らは波長,光パワー,バイアス変調準Fermi準位,および光応答性状態に及ぼす種々の光学的および電気的測定によるIR光応答機構を特性化した。この結果はa-IGZO TFTと組み合わせた透明基板を用いた独立および/または統合IR検出器を提供することが期待される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ポンピング ,  *光検出 ,  バイアス ,  *薄膜トランジスタ ,  非晶質 ,  Fermi準位 ,  *状態密度 ,  バンドギャップ ,  電気測定 ,  光検出器 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 光応答 ,  サブバンドギャップ ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *サブギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トランジスタ ,  サブギャップ ,  状態密度 ,  赤外光 ,  研究