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J-GLOBAL ID：201702212212015098   整理番号：17A1140902

立方晶窒化ホウ素の任意指数面単結晶基板の作製と表面反応の観察

著者 (5件)： 田村貴大 (北大) ,  高見拓哉 (北大) ,  柳瀬隆 (北大 工) ,  長浜太郎 (北大 工) ,  島田敏宏 (北大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-A412-1  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： セラミック ,  *窒化ホウ素 ,  *単結晶 ,  *基板 ,  化合物半導体 ,  *結晶面 ,  *プラズマエッチング ,  表面ステップ ,  エッチピット ,  窒素 ,  ホウ化物 ,  マグネシウム化合物 ,  ホウ化マグネシウム ,  CBN【セラミック】
準シソーラス用語： 立方晶窒化ホウ素

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 立方晶窒化ホウ素 ,  指数 ,  単結晶基板 ,  作製 ,  表面反応 ,  観察