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J-GLOBAL ID：201702212306870094   整理番号：17A0027163

シリコン上に成長したAlInN/GaN HEMTに基づくWバンドMMIC増幅器

$W$ -Band MMIC Amplifiers Based on AlInN/GaN HEMTs Grown on Silicon

著者 (6件)： Marti Diego (Millimeter-Wave Electronics Group, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Lugani Lorenzo (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland) ,  Carlin Jean-Francois (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland) ,  Malinverni Marco (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland) ,  Grandjean Nicolas (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Institute of Condensed Matter Physics, Lausanne, Switzerland) ,  Bolognesi C. R. (Millimeter-Wave Electronics Group, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 8  ページ： 1025-1028  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,シリコン上に成長させたAlInN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)に基づくWバンドモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)増幅器を実証した。筆者らのMMICプロセスは110GHzまで完全に特徴付けられており,設計キットは回路設計を可能にした。出力デバイスの幅が100μmの作製された2段増幅器は,18.3dBmの飽和出力と-10dBの入出力反射損失を有する94GHz,あるいはよりよくは90~100GHzで8.2dBの利得を示した。実験データによって確認されたモデルは,性能が電流コラプスによって制限され,出力電力の倍増はコラプス制限を解決することによって可能であり,低コストのミリ波のパワーエレクトロニクス用途に対してGaN-on-Si HEMT技術がかなりの可能性を示すことを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： ケイ素 ,  アルミニウム ,  インジウム ,  *HEMT ,  *MMIC ,  *増幅器 ,  EHF波 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： シリコン ,  Al ,  In ,  *モノリシック・マイクロ波集積回路 ,  電流コラプス ,  ミリ波

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  成長 ,  GaN ,  HEMT ,  Wバンド ,  MMIC増幅器