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J-GLOBAL ID：201702212400319029   整理番号：17A0635607

垂直インターコネクトとアンダーフィルディスペンス用の貫通シリコンビア(TSV)による3Dチップスタッキング

3D chip stacking with through silicon-vias (TSVs) for vertical interconnect and underfill dispensing

著者 (4件)： LE Fuliang (HKUST Shenzhen Res. Inst., Shenzhen, CHN) ,  LEE Shi-Wei Ricky (HKUST Shenzhen Res. Inst., Shenzhen, CHN) ,  LEE Shi-Wei Ricky (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  ZHANG Qiming (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 27  号： 4  ページ： 045012,1-10  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体産業の動向は,小型化,薄型化,軽量化が進んでいる。今日では,IC密度と高度なパッケージング方法の両方が,二次元で限界に達している。本研究では,電気的接続用の複数の相互接続TSVとアンダーフィルディスペンス用の中央TSVを備えた試験車両を紹介する。本稿で提示されたテストビークルは3Dダイ/インターポーザスタックパッケージである。各インターポーザは,垂直相互接続用の複数の導電性接着剤充填TSVと,アンダーフィル分配用の中央TSVとを含む。試験車両の組み立ては,相互接続TSVのための導電性接着剤充填から始まり,続いて単層組立および単一層の垂直積み重ねが行われた。相互接続TSVの充填は,はんだペーストを回路基板に塗布するスキージ印刷プロセスと同様のディスペンシングおよびスキージ方法を使用した。オーガ・バルブを介してインターポーザの相互接続TSVに導電性接着剤が分配され,その後インターポーザ表面に残った接着剤残留物がスキージによって除去された。

シソーラス用語： *バイアホール ,  *包装技法 ,  *超小形回路技術 ,  集積 ,  固体回路部品 ,  *接着剤
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  *パッケージング技術 ,  *アンダーフィル ,  三次元集積化 ,  インターポーザ ,  導電性接着剤

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  インターコネクト ,  TSV ,  3D ,  スタッキング