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J-GLOBAL ID：201702212496171393   整理番号：17A0281477

水酸化カリウム中の配向シリコンマイクロリッジのパターン誘起凸型隅アンダーカット

Pattern induced convex corner undercutting of oriented silicon microridges in potassium hydroxide

著者 (3件)： INAYAT S.B. (Univ. California, Davis, USA) ,  OMBABA M. (Univ. California, Davis, USA) ,  ISLAM M.Saif (Univ. California, Davis, USA)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 23  号： 1  ページ： 75-80  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KOHエッチング中に発生するマイクロリッジの凸隅のアンダーカットに及ぼすマスクパターンの影響を調べた。<110>結晶方位に対して様々な角度に配向したSi<100>基板上の微小欠陥をKOH溶液中でエッチングした。エッチング中の凸隅におけるアンダーカットは基板の結晶学的配向に起因し,一部の結晶面が他よりも速くエッチングされ,望みの構造の変形に寄与した。<110>方向に対するマイクロリッジの配向角が大きくなると,凸部隅部とマイクロリッジの表面の損傷が増加した。<110>ウエハに対して鋭角をなす隅から生じる{311}面がエッチング図で鞍点を得るには時間を要した。これは,極端な鋭角に対するマイクロリッジ面を完全にウォッシュアウトする思われる。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *エッチング ,  水酸化カリウム ,  マイクロマシニング ,  *アンダカット ,  ウエハ【IC】 ,  微細構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  MEMS
準シソーラス用語： Si基板 ,  マイクロリッジ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水酸化カリウム ,  配向 ,  誘起 ,  凸型 ,  アンダーカット