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J-GLOBAL ID：201702213438570159   整理番号：17A1727311

量子補正されたBoltzmann輸送方程式によるGeとSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力の解析【Powered by NICT】

Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation

著者 (3件)： Tanaka Hajime (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 277-280  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeとSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力は量子補正されたBoltzmann輸送方程式に基づいて解析した。量子補正ポテンシャルの新しい形式を提案し,このモデルを用いて,GeとSiナノワイヤpMOSFETの電流駆動能力を比較した。ON電流は,GeナノワイヤpMOSFETにおける大きいが,透過係数はGeとSiの間の類似した,Geの高い正孔移動度はその遅いエネルギー緩和によりキャンセルされる。GeナノワイヤpMOSFETの大きな電流はその大きな注入電流に起因した。性能に対する素子形状の影響も調べた,15nmゲート長をもつ[110]-配向したGeナノワイヤpMOSFETは本研究で検討したデバイスの中で最高の性能を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  透過率 ,  *量子補正
準シソーラス用語： ゲート長 ,  エネルギー緩和 ,  正孔移動度 ,  電流駆動 ,  *正孔輸送 ,  *pMOSFET ,  *輸送方程式 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 量子補正 ,  輸送方程式 ,  Ge ,  Si ,  ナノワイヤ ,  pMOSFET ,  バリ ,  スティック ,  正孔輸送 ,  能力 ,  解析