Zhang Zhe について
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China について
Zhang Zexuan について
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China について
Wang Runsheng について
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China について
Jiang Xiaobo について
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China について
Guo Shaofeng について
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China について
Wang Yangyuan について
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China について
Wang Xingsheng について
Synopsys, Glasgow G3 7JT, U.K. について
Cheng Binjie について
Synopsys, Glasgow G3 7JT, U.K. について
Asenov Asen について
Synopsys, Glasgow G3 7JT, U.K. について
Huang Ru について
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China について
IEEE Conference Proceedings について
パーコレーション について
電流変動 について
信頼性 について
フィン について
ベンチマーク について
チャネル について
幅方向 について
キャラクタリゼーション について
三次元 について
電流 について
シミュレーション について
ナノデバイス について
ランダムテレグラフノイズ について
FinFET について
トランジスタ について
半導体集積回路 について
チャネル について
パーコレーション について
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シミュレーション について
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