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J-GLOBAL ID：201702213750212865   整理番号：17A0831411

直接湿式酸化による絶縁体上の炭化けい素ナノワイヤの形成【Powered by NICT】

Formation of silicon carbide nanowire on insulator through direct wet oxidation

著者 (9件)： Phan Hoang-Phuong (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Ina Ginnosuke (Department of Mechanical Engineering, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Dinh Toan (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Kozeki Takahiro (Department of Mechanical Engineering, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Nguyen Tuan-Khoa (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Namazu Takahiro (Department of Mechanical Engineering, Aichi Institute of Technology, Toyota, Japan) ,  Qamar Afzaal (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Dao Dzung Viet (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia) ,  Nguyen Nam-Trung (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre, Griffith University, Queensland, Australia)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 196  ページ： 280-283  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上の炭化ケイ素は,高温での電子素子だけでなく光学-電気的用途のための有望なプラットフォームである。SiCの化学的不活性を利用して,本研究は,シリコン湿式熱酸化を用いた二酸化シリコン(SiO_2)上の立方晶炭化けい素(3C SiC)を形成する新しい方法を提案した。実験データはSiO_2は幅300nm SiCナノワイヤの下に形成されたことに成功したことを確認したが,SiCの特性は酸化過程で殆ど影響を受けなかった。この簡単な技術は,SiCOI(絶縁体上SiC)ベースの電気的および光学的アプリケーションの開発への道を開くであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  二酸化ケイ素 ,  *湿式酸化 ,  高温 ,  *酸化 ,  *絶縁体 ,  応用プログラム ,  *炭化ケイ素 ,  熱酸化
準シソーラス用語： 電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 炭化けい素 ,  絶縁体上SiC ,  SiCナノワイヤ ,  ナノワイヤ導波路 ,  LOCOS ,  MEMS

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 湿式酸化 ,  絶縁体 ,  炭化 ,  けい素ナノワイヤ