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J-GLOBAL ID：201702213752715596   整理番号：17A0549557

ボトムゲート-ボトムコンタクトPh-BTBT-10電解効果トランジスタのバイアス-ストレス評価

著者 (3件)： 國井正文 (東工大 未来産技研) ,  飯野裕明 (東工大 未来産技研) ,  半那純一 (東工大 未来産技研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-302-11  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *特性
準シソーラス用語： ボトムゲート ,  ボトムコンタクト ,  有機電界効果トランジスタ ,  デバイス特性

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ボトムゲート ,  ボトムコンタクト ,  pH ,  電解 ,  トランジスタ ,  バイアス ,  ストレス評価