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J-GLOBAL ID：201702213967910629   整理番号：17A0524678

WSe₂/hBNヘテロ構造における層間電子-フォノン結合

Interlayer electron-phonon coupling in WSe₂/hBN heterostructures

著者 (16件)： JIN Chenhao (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  KIM Jonghwan (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  SUH Joonki (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  SHI Zhiwen (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  CHEN Bin (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  FAN Xi (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  KAM Matthew (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  WATANABE Kenji (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TONGAY Sefaattin (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  ZETTL Alex (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  ZETTL Alex (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  WU Junqiao (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  WU Junqiao (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  WANG Feng (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  WANG Feng (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Nature Physics  (Nature Physics)
巻： 13  号： 2  ページ： 127-131  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W2060A  ISSN： 1745-2473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WSe₂/hBNヘテロ構造の電子-フォノン相互作用を研究した。その結果,光学的には静かなhBNフォノンがRamanスペクトルに現れ,WSe₂電子遷移との結合を通して強い強度となることを示した。励起分光法により,このように増強は二重共鳴の性質を持ち,二重共鳴状態は単層WSe₂のA励起子遷移と,WSe₂/hBNヘテロ構造にのみ存在する新しいハイブリッド状態であることを示した。層間の電子-フォノン相互作用が観測されたことから,デバイスへ応用する電子とフォノンのエンジニアリングを行う新しい手段が得られた。

シソーラス用語： セレン化物 ,  タングステン化合物 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  窒化ホウ素 ,  素子構造 ,  *電子-フォノン相互作用 ,  積層構造 ,  *共鳴Ramanスペクトル ,  電子遷移
準シソーラス用語： *van der Waalsヘテロ構造 ,  *セレン化タングステン ,  ヘテロ構造 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  *六方晶窒化ホウ素

分類 (2件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (2件)： ヘテロ構造 ,  電子-フォノン結合