文献

J-GLOBAL ID：201702214062602469   整理番号：17A0407310

アルミニウム支援結晶化によるSi上のSi_xGe_1xのエピタキシャル成長のその場X線回折研究【Powered by NICT】

In situ X-ray diffraction study on epitaxial growth of Si_xGe_1-x on Si by aluminium-assisted crystallization

著者 (4件)： Liu Ziheng (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, 2052, Australia) ,  Hao Xiaojing (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, 2052, Australia) ,  Ho-Baillie Anita (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, 2052, Australia) ,  Green Martin A. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, 2052, Australia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 1672-1676  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場X線回折研究は,比較的低い温度(350 450 °C)でのアルミニウム支援結晶化によるSi上のSi_xGe_1xのエピタキシャル成長におけるアニーリング時間の役割を調べるために適用した。アニーリング時間と共にSi_xGe_1x膜の進展は二段階に分けることができる(i)Ge/Al層交換によるSi上のSi_xGe_1xエピタキシャル成長と(ii)Si基板にSi_xGe_1 拡散。層交換の速度は温度上昇と共に増加した。層交換の終了後,Si_xGe_1xが長時間アニーリングでSi基板中に拡散した。エピタキシャルSi_xGe_1x膜のSi含有量がアニーリングを通して時間に伴って増加する。この増加はGe/Al層交換時の急速であるがSi基板へSi_xGe_1 拡散中に徐々にである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  高速度 ,  *結晶化 ,  昇温 ,  *X線回折 ,  焼なまし ,  *ケイ素 ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiGe合金 ,  エピタクシー ,  アルミニウム支援結晶化 ,  in situ X線回折

分類 (3件)： 金属の結晶構造  (BK06000V) ,  磁気的性質  (WB02020J) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： アルミニウム ,  支援 ,  結晶化 ,  Si ,  エピタキシャル成長 ,  X線回折 ,  研究