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J-GLOBAL ID:201702214085811637   整理番号:17A1374952

オゾンガス援用研磨による難加工半導体基板の平坦化

著者 (1件):
資料名:
巻: 2017  号: 秋季(CD-ROM)  ページ: ROMBUNNO.M30  発行年: 2017年09月05日 
JST資料番号: Y0914A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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SiCやGaN,ダイヤモンド基板は,省エネルギー化を実現するための次世代パワー半導体材料として期待されている。しかしながら,これらの材料は,高硬度かつ化学的に安定なため,加工することは難しい。われわれは,高効率かつ高精度に難加工半導体基板を加工するために,オゾンを援用したドライ研磨法を提案・開発している。本報告では,この提案手法を難加工半導体基板の平坦化に適用した結果について報告する。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  特殊加工 
引用文献 (4件):
  • 田北隆浩,他,2013年度精密工学会春季大会学術講演会学術論文集, 215-216.
  • 田北隆浩,他,2013年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集 pp.672-673.
  • 久保田章亀,他,2016年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集 pp.289-290.
  • 久保田章亀,他,2017年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集 pp.977-978.
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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