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J-GLOBAL ID：201702214162722006   整理番号：17A1996590

Analysis and Modeling of Drain-Induced Barrier Lowering Variation Induced by Random Dopants in Nanometer MOSFET Channel

著者 (3件)： LUE Wei-Feng (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  WANG Guang-Yi (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  SUN Ling-Ling (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Nanoscience and Nanotechnology Letters  (Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻： 9  号： 8  ページ： 1213-1216  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W2373A  ISSN： 1941-4900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： MOSFET