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J-GLOBAL ID：201702214175139588   整理番号：17A1676509

MPCVD法によるホモエピタキシャル成長単結晶ダイヤモンド【JST・京大機械翻訳】

Homoepitaxial growth of single crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition

著者 (6件)： Yan Lei (武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073) ,  Ma Zhibin (武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073) ,  Chen Lin (武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073) ,  Fu Qiuming (武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073) ,  Wu Chao (武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073) ,  Gao Pan (武漢工程大学 材料科学与工程学院,湖北省等離子体化学与新材料重点実験室,湖北 武漢 430073)
資料名： Xinxing Tan Cailiao  (Xinxing Tan Cailiao)
巻： 32  号： 1  ページ： 92-96  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1529A  ISSN： 1007-8827  CODEN： XTCAFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマ化学蒸着(MPCVD)法を用いて、高温高圧(HPHT)下で調製した単結晶上に単結晶ダイヤモンドの均一エピタキシャル成長を行い、メタン濃度と基板温度がダイヤモンド成長に及ぼす影響を研究した。走査電子顕微鏡とレーザーRaman分光計を用いて、成長前後のサンプルに対して特性化を行った。結果により、HPHT単結晶片を用いて成長させた時、主に層状成長と丘状成長モードがあり、丘状成長は多結晶構造が現れやすいことが分かった。メタン濃度を低下させることにより、丘状成長密度を低下させ、ダイヤモンド表面の平坦度を向上させることができる。ダイヤモンドの成長速度は,メタン濃度,作業圧力,および基板温度の増加とともに増加したが,しかし,高いメタン濃度(72%)と基板温度(1150°C)は,ダイヤモンドの品質を減少させた。成長した単結晶ダイヤモンドの品質は比較的理想的で、基板と成長層の間の遷移は比較的に自然で、ダイヤモンドの結晶度が高く、欠陥密度が小さいが、膜層が厚くなるにつれて、アモルファス炭素の含有量が増加した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *エピタクシー ,  品質 ,  キャラクタリゼーション ,  炭素 ,  多結晶 ,  結晶度 ,  走査電子顕微鏡 ,  基板温度 ,  *単結晶 ,  成長速度 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： メタン濃度 ,  *単結晶ダイアモンド ,  *マイクロ波プラズマCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： MPCVD ,  Homoepitaxy ,  Single crystal diamond

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： MPCVD ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  単結晶ダイヤモンド