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J-GLOBAL ID：201702214209511190   整理番号：17A0539901

200mmの基板を通してのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ構造の構造的,光学的および電気的特性

Investigation of structural, optical, and electrical characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure across a 200 mm Si(1 1 1) substrate

著者 (10件)： PEROZEK J (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  PEROZEK J (Innovative COmpound semiconductoR (ICOR) Lab., IL, USA) ,  LEE H-P (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  LEE H-P (Innovative COmpound semiconductoR (ICOR) Lab., IL, USA) ,  KRISHNAN B (Veeco Instruments Inc., NJ, USA) ,  PARANJPE A (Veeco Instruments Inc., NJ, USA) ,  REUTER K B (IBM Res. Div., NY, USA) ,  SADANA D K (IBM Res. Div., NY, USA) ,  BAYRAM C (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  BAYRAM C (Innovative COmpound semiconductoR (ICOR) Lab., IL, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 5  ページ： 055103,1-8  発行年： 2017年02月08日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNスペーサを含むAlGaN/GaN構造の二次元電子を含む高電子移動度トランジスタ(HEMT)をMOCVDによってSi基板上に作製した。この構造を走査電子顕微鏡観察,光学顕微鏡法,原子間力顕微鏡観察,X線回折およびHall効果測定によって調べた。その結果から,キャリア(電子)移動度が表面粗さ,格子欠陥および内部応力によって影響されることが分かった。面内の電気的分離のためにアルゴンイオンの注入が行われ,漏れ電流の減少が非常に良く達成されていることが分かった。

シソーラス用語： 効果 ,  ケイ素 ,  基板 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *HEMT ,  電子顕微鏡観察 ,  光学顕微鏡法 ,  顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  転位密度 ,  イオン注入 ,  アルゴン ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 基板効果 ,  原子間力顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡観察 ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  光学 ,  電気的特性