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J-GLOBAL ID：201702214273666662   整理番号：17A0055063

a-InGaZnO薄膜トランジスタを用いた低ドロップアウトレギュレータの設計【Powered by NICT】

Design of low-dropout regulator using a-InGaZnO thin-film transistors

著者 (2件)： Kim Yongchan (MEMS Display and Sensor Laboratory, School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea) ,  Lee Hojin (MEMS Display and Sensor Laboratory, School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： APCCAS  ページ： 546-547  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ディスプレイ駆動システムのための非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタ(a InGaZnO TFTs)で構成された低ドロップアウト(LDO)レギュレータを示した。広範なシミュレーション研究を通して,本提案のLDOレギュレータを成功裏に基準入力電圧を追跡するために出力電圧レベルを制御することができ,入力基準電圧は100mV変動により14Vから15Vに変化したとき,出力電圧リップルは48mV以下で抑制されることを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  表示装置 ,  *調節器 ,  駆動方式 ,  シミュレーション ,  非晶質 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 基準電圧 ,  出力電圧 ,  入力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： トランジスタ ,  設計