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J-GLOBAL ID：201702214423462954   整理番号：17A0475063

InGaAsのためのN型ドーピング戦略【Powered by NICT】

N-type Doping Strategies for InGaAs

著者 (8件)： Aldridge Henry (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA) ,  Lind Aaron G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA) ,  Bomberger Cory C. (Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, DE 19716, USA) ,  Puzyrev Yevgeniy (Department of Physics and Astronomy and Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235, USA) ,  Zide Joshua M.O. (Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, DE 19716, USA) ,  Pantelides Sokrates T. (Department of Physics and Astronomy and Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235, USA) ,  Law Mark E. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA) ,  Jones Kevin S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62  ページ： 171-179  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V化合物半導体の使用,Siおよび他のより従来の半導体材料に比較して優れた電子移動度によるCMOS論理素子におけるチャンネル材料としてInGaAsを含むに置かれている重要な研究努力。チャネル材料としてInGaAsの工業的採用を妨げる主な要因の一つは,ソースとドレイン接触抵抗の最小化を含んでいる。接触抵抗の最小化への挑戦を理解するために,本研究は,活性化の最高レベルは可能な達成におけるドーパントとしてのシリコンの使用と各手法の有効性を含むn型InGaAsの試みられているいくつかのドーピング手法の有効性を概説した。以前と最近報告されたドーパント拡散挙動を含めて議論する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 論理素子 ,  ドーパント ,  ケイ素 ,  半導体 ,  半導体材料 ,  チャネル ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  接触抵抗 ,  CMOS
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  III-V半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： III-V族半導体 ,  半導体処理 ,  熱処理 ,  ドーパント活性化 ,  ドーパント拡散

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaAs ,  n型ドーピング ,  戦略