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J-GLOBAL ID：201702214598329108   整理番号：17A0914970

COTS低コストRISCマイクロコントローラに及ぼす電離放射線の効果【Powered by NICT】

Ionizing radiation effects on a COTS low-cost RISC microcontroller

著者 (10件)： Leite Felipe G. H. (Physics Department, Centro Universita ́rio - FEI, Brazil) ,  Santos Roberto B. B. (Physics Department, Centro Universita ́rio - FEI, Brazil) ,  Medina Nilberto H. (Instituto de Fi ́sica, Sao Paulo University - USP, Brazil) ,  Aguiar Vitor. A. P. (Instituto de Fi ́sica, Sao Paulo University - USP, Brazil) ,  Giacomini Renato C. (Physics Department, Centro Universita ́rio - FEI, Brazil) ,  Added Nemitala (Instituto de Fi ́sica, Sao Paulo University - USP, Brazil) ,  Aguirre Fernando (Instituto de Fi ́sica, Sao Paulo University - USP, Brazil) ,  Macchione Eduardo L.A. (Instituto de Fi ́sica, Sao Paulo University - USP, Brazil) ,  Vargas Fabian (Catholic University - PUCRS, Brazil) ,  da Silveira Marcilei A. G. (Physics Department, Centro Universita ́rio - FEI, Brazil)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： LATS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子系の機能性は,これらのシステムは,これらのような厳しい環境で稼動しているとき,それらは電離放射線に曝露されているが劣化する。これらの効果の理解と測定確実に作動できるのをシステム設計するために非常に重要である。本研究では,商用的にすぐ入手できる(COTS)低価格マイクロプロセッサに及ぼす重イオンとX線照射効果の実験データを検討した。重イオン試験結果は,この技術の,SRAMはフラッシュメモリよりもSEEに対してより敏感であることを示唆した。LET5以上MeV/mg/cm~2イオンは装置の適切な操作を混乱させる可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 重イオン ,  システム設計 ,  *マイクロコントローラ ,  X線照射 ,  *電離放射線 ,  マイクロプロセッサ ,  SRAM ,  電子系 ,  フラッシュメモリ
準シソーラス用語： 低価格 ,  機能性 ,  *市販品 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： COTS ,  RISC ,  マイクロコントローラ ,  電離放射線