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J-GLOBAL ID：201702214751378676   整理番号：17A0914674

高周波信号パッド下のSi基板中の電力散逸の温度依存性【Powered by NICT】

Temperature dependence of power dissipation in the Si substrate under the high-frequency signal pad

著者 (2件)： Shibata Tsugumichi (Tokyo City University, Department of Information and Communication Engineering, Faculty of Knowledge Engineering, 1-28-1 Tamazutsumi, Setagaya, Tokyo, 158-8557 Japan) ,  Ichikawa Daichi (Tokyo City University, Department of Information and Communication Engineering, Faculty of Knowledge Engineering, 1-28-1 Tamazutsumi, Setagaya, Tokyo, 158-8557 Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICCEM  ページ： 18-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板は,集積回路に広く用いられている。しかし,Si基板の中程度の伝導率は特に高周波数の損失の原因となり,従って,高抵抗率をもつ基板はマイクロ波応用にしばしば用いられる。信号パッドにおける電力消費に及ぼすSi基板の影響を調べた。高抵抗Siの電気伝導率は温度の関数であるので,有意な損失がデバイスの操作温度に依存してSi基板で発生することができることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  電気抵抗率 ,  *HF【周波数】 ,  電気伝導率 ,  *温度依存性 ,  マイクロ波 ,  *パッド ,  集積回路 ,  電力消費
準シソーラス用語： 温度関数 ,  伝導率 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波信号 ,  パッド ,  Si基板 ,  電力散逸 ,  温度依存性