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J-GLOBAL ID：201702214777398178   整理番号：17A0937563

エネルギーハーベスティング応用のための広角度ブラックシリコンの効率的作製方法論【Powered by NICT】

Efficient fabrication methodology of wide angle black silicon for energy harvesting applications

著者 (3件)： Gouda Abdelaziz M. (Department of Physics, American University in Cairo, New Cairo 11835, Egypt. [e-mail]) ,  Allam Nageh K. ,  Swillam Mohamed A.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 43  ページ： 26974-26982  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコンナノワイヤ(SiNW)に基づく広帯域全方向性反射防止用ブラックシリコン表面の容易で比較的費用対効果製造技術を報告する。AgNO_3とHFの水溶液中の効果的で経済的な一段階銀無電解触媒エッチング法をブラックシリコン表面の合成に使用されている。SiNWアレイの形成機構を局在nanoelectrochemical細胞の観点から説明した。ナノワイヤの長さと直径が制御可能であった,寸法とエッチング時間の間の整合関係を見出した。異なるサンプルサイズが使用されている技術の大規模生産の可能性を証明した。±60°までの広い角度に加えて強いトラッピングと反射防止特性に起因する可視領域で報告されている零反射近傍の幅広い範囲。Raman散乱測定は,異なる直径を用いて作製した構造における量子サイズ効果とフォノン散乱を確認した。固体および多孔質SiNWに基づいたブラックシリコン表面は,太陽電池,オプトエレクトロニクスとエネルギー貯蔵応用のための有望な可能性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー貯蔵 ,  水溶液 ,  太陽電池 ,  Raman散乱 ,  電極触媒 ,  オプトエレクトロニクス ,  *ナノワイヤ ,  量子サイズ効果 ,  エッチング ,  広帯域
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  *ブラックシリコン ,  反射防止 ,  シリコンナノワイヤ ,  *エネルギーハーベスティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： エネルギーハーベスティング ,  応用 ,  ブラックシリコン ,  作製 ,  方法論