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J-GLOBAL ID：201702214860620278   整理番号：17A1836448

垂直磁化多層膜の熱的に駆動される磁化スイッチング【Powered by NICT】

Thermally driven magnetization switching of perpendicularly magnetized multilayers

著者 (5件)： Taniyama Tomoyasu (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Shirahata Yasuhiro (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Shiina Ryota (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Wada Eiji (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Itoh Mitsuru (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 1023-1026  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直磁化[Cu/Ni]多層/BaTiO_3(100)ヘテロ構造の熱的に駆動される磁化スイッチングを実証した。多層膜の磁化は室温でBaTiO_3の正方晶相における面外磁気異方性を示したが,磁化方向は面外から180K以下で菱面体晶相の面内に切り替えることが分かった。磁化スイッチングはBaTiO_3の構造相転移による[Cu/Ni]BaTiO_3から界面圧縮歪移動に起因した。電場を印加せずに菱面体晶相の磁気光学極性Kerr測定は,磁化スイッチングは斜方晶系の構造相転移によって誘起された界面での圧縮歪に起因する菱面体晶相に記述を支持している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *多層膜 ,  極性 ,  磁気異方性 ,  斜方晶系 ,  *多層 ,  正方晶系 ,  三方晶系 ,  界面 ,  構造相転移 ,  電場 ,  *垂直磁化
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  磁化方位 ,  ヘテロ構造 ,  *磁化スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 垂直磁化 ,  多層膜 ,  磁化スイッチング