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J-GLOBAL ID：201702214884817691   整理番号：17A1480472

多結晶グラフェンと非晶質SiO_2基板との間の熱境界抵抗【Powered by NICT】

Thermal boundary resistance between the polycrystalline graphene and the amorphous SiO₂ substrate

著者 (4件)： Li Ting (Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key Lab. of Liaoning for Integrated Circuits Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) ,  Tang Zhenan (Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key Lab. of Liaoning for Integrated Circuits Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) ,  Huang Zhengxing (Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key Lab. of Liaoning for Integrated Circuits Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) ,  Yu Jun (Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Key Lab. of Liaoning for Integrated Circuits Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 685  ページ： 349-353  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンと基板の間の界面は,グラフェンベース先端デバイスにおいて非常に重要な役割を果たしている。分子動力学シミュレーションを用いたグラフェン/二酸化ケイ素(Gr/SiO_2)界面の熱境界抵抗Rを調べた。Rは温度の上昇とともに単調に減少し,基板結合強度への強い依存性を示した。グラフェンの多結晶性に起因して,グラフェンにおける周期的5 7,5 8 5と5 7-5 7結晶粒界の存在はGr/SiO_2界面,フォノンスペクトルにおける増加したオーバーラップと界面でより非弾性散乱の両方に起因することを横切るフォノン伝達を増強することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶粒界 ,  分子動力学 ,  *多結晶 ,  計算機シミュレーション ,  二酸化ケイ素 ,  非弾性散乱 ,  *グラフェン ,  温度依存性 ,  付着強さ ,  フォノン
準シソーラス用語： フォノンスペクトル ,  分子動力学シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  二酸化けい素 ,  熱境界抵抗 ,  結晶粒界 ,  分子動力学

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  物理化学一般  (CB01010X) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多結晶 ,  グラフェン ,  境界