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J-GLOBAL ID：201702215028727602   整理番号：17A0617088

Biドープテトラへドライトの熱電特性

Thermoelectric Properties of Bi Doped Tetrahedrite

著者 (6件)： KUMAR D.S.Prem (SRM Univ., Kattankulathur, IND) ,  CHETTY R. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  FEMI O.E. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  CHATTOPADHYAY K. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  MALAR P. (SRM Univ., Kattankulathur, IND) ,  MALLIK R.C. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 5  ページ： 2616-2622  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,テトラヘドライトがその熱電材料や太陽光吸収材料として好ましい特徴をもつため注目されている。本稿では,Biドープテトラヘドライト,Cu₁₂Sb_4-xBi_xS₁₃(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)の熱電特性を調べた。使用したテトラヘドライトは固相反応法により合成した。粉末X線回折によりCu₁₂Sb₄S₁₃(テトラヘドライト構造)が主要な相であることを確認した。電子プローブマイクロアナリシスにより組成を分析した。試料の測定から,電気抵抗がBi含有量とともに増加することが分かった。また,温度上昇による電気抵抗の増加は試料が縮退半導体性を持つことを示した。絶対Seebeck係数は実験したすべての温度範囲(423~673K)で正であり,試料がp型であることを示した。Seebeck係数はBi含有量の増加とともに増加した。これはキャリア濃度の変化のためである。全熱伝導率はBi含有量の増加により減少した。最高熱電性能指数は673Kで~0.84で,x=0.2の時得られた。

シソーラス用語： *硫塩鉱物 ,  電気特性 ,  *熱電効果 ,  *ビスマス ,  熱電材料 ,  固相反応 ,  X線回折 ,  電子プローブX線分析 ,  化合物半導体 ,  縮退 ,  性能指数
準シソーラス用語： *テトラヘドライト ,  縮退半導体 ,  熱電特性 ,  粉末X線回折

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： Bi ,  ライト ,  熱電特性