Embed SRAM IDDOFFは装置解析と局在回路解析の組合せによる失敗根本原因同定【Powered by NICT】

Chen C.Q.; Ang G.B.; Ng P.T.; Rivai Francis; Ng H.P.; Quah A.C.T.; Teo Angela; Lam Jeffery; Mai Z.H.

文献

J-GLOBAL ID：201702215375255028 整理番号：17A1544940

Embed SRAM IDDOFFは装置解析と局在回路解析の組合せによる失敗根本原因同定【Powered by NICT】

Embed SRAM IDDOFF fail root cause identification by combination of device analysis and localized circuit analysis

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資料名：
巻： 76-77 ページ： 261-266 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

SRAMを論理製品の最も重要な成分である。SRAMの故障解析は良く研究されているが,SRAM IDDOFF解析であるFA技術者に対してまだ挑戦的である。IDDOFFを測定した時,生成物は機能性試験に合格した。これは電気故障分離は非常に困難にしている。ダイレベルでIDDOFF漏れを検証するために容易であるが,トランジスタレベルでの漏れを検証するために困難あるいは不可能であろう。本論文では,SRAM IDDOFF失敗したユニットを解析し,従来のEMMI法は故障分離を行うために採用した。ホットスポットはSRAM地域で発見された容易にした。EMMI信号は全SRAMブロックであり,これをSRAMブロックにおける総漏れを示すをカバーしている。層解析によるその後の層は接触レベルまで異常を認められなかった。接触レベルにおけるナノプロービングも異常な何も示さなかった。漏れ経路を理解するために,SRAM回路は,DCバイアス条件下で研究し,構造の断面解析と組み合わせた。,疑わしい漏れ経路を提案した。この容疑者に基づく漏れはM1レベルで促進されているだけで,実験はVia1レベルで再設計した。漏れはM1レベルでナノプロービングDC測定により検証することに成功した。最後に,TEM分析はIDDOFF故障の根本原因を確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 半導体集積回路

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