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J-GLOBAL ID：201702215458127465   整理番号：17A1604062

パルス電着技術で異なる基板上に成長させたInSb薄膜の研究

Study of InSb thin films grown on different substrates by the pulsed electrodeposition technique

著者 (2件)： SINGH Joginder (Jiwaji Univ., MP, IND) ,  POOLLA Rajaram (Jiwaji Univ., MP, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 18  ページ： 13716-13726  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス電着技術で4種類の異なる基板にストイキオメトリックInSb薄膜を制作した。InSb薄膜成長に使用した電気化学浴は,InCl₃,SbCl₃,クエン酸,クエン酸ナトリウムの混合である。基板は銅,真鍮,ステンレススチール,フッ素ドープ酸化スズの4種類である。すべての基板でストイキオメトリックInSbはデポジットされた。デポジットされたInSb薄膜のストイキオメトリは電気化学浴中のIn/Sbイオン比に強く依存している。最もストイキオメトリの良い膜成長の電気化学浴は,0.05M InCl₃,0.04M SbCl₃,0.30Mクエン酸,0.20Mクエン酸ナトリウムの水溶液である。Raman分光でInSb薄膜は横光学フォノンモード(TO)と縦光学フォノンモード(LO)でそれぞれ178と189cm^-1のピークを示す。XRDの結果,真鍮基板に成長した薄膜がInとSb元素を持たない単相InSbである。

シソーラス用語： 電着 ,  *アンチモン化インジウム ,  *薄膜 ,  基板 ,  材料 ,  塩化インジウム ,  黄銅 ,  ステンレス鋼 ,  酸化スズ ,  化学量論 ,  フォノン ,  塩化アンチモン ,  曲線 ,  画像 ,  脂肪族アルコール ,  脂肪族カルボン酸 ,  ヒドロキシ酸 ,  ポリカルボン酸 ,  カルボン酸塩
準シソーラス用語： InSb ,  SEM画像 ,  サイクリックボルタモグラム ,  ステンレススチール ,  ストイキオメトリ ,  *パルス電着 ,  横光学フォノン ,  *基板材料 ,  縦光学フォノン ,  真鍮

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (2件)： クエン酸 ,  クエン酸ナトリウム

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス電着 ,  成長 ,  InSb ,  薄膜 ,  研究