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J-GLOBAL ID:201702215494467253   整理番号:17A0447714

ポリウレタンCeO_2コア-シェル粒子を用いた単結晶SiC表面の研磨パッドフリー電気化学的機械的研磨【Powered by NICT】

Polishing-pad-free electrochemical mechanical polishing of single-crystalline SiC surfaces using polyurethane-CeO2 core-shell particles
著者 (3件):
資料名:
巻: 114  ページ: 1-7  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0568A  ISSN: 0890-6955  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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従来の電子材料と比較して非常に高い機械的および化学的強度を持つ,単結晶SiC表面の電気化学的機械的研磨(ECMP)のための新しい方法を報告した。法は,研磨パッドを使用しないポリウレタンCeO_2コア-シェル粒子からCeO_2によるSiC表面と酸化物の除去の電気化学的酸化から構成されている。コア-シェル粒子を用いて磨き板(カソード)とSiCウエハ(アノード)の間のギャップ,不活性SiC表面の効率的な陽極酸化を維持することである。,簡単で低コストのプロセスで調製した小さいとソフトCeO_2粒子のアブレシブ層で覆われた弾性ポリウレタンコアから成る,コア-シェル粒子は研磨パッドを使用せずに滑らかなSiC表面を得るために用いることができる。コア-シェル粒子におけるCeO_2にポリウレタンの比は過剰CeO_2粒子を残すことなくシェル粒子で完全に覆われているコア粒子を得るために最適化した。作製したコア-シェル粒子を用いて,従来のCMPプロセスである陽極酸化しないSiC表面を除去できなかった。研磨中の連続バイアスを処理して表面に残存する酸化物膜のために粗いSiC表面を生成するが,電流測定とX線分析によって確認されたように,周期的印加バイアス,酸化膜の理論的成長速度と残留厚さにより決定した条件をスクラッチの数を減少させ,サブナノメータ粗さを有する滑らかな表面が得られた。表面粗さの得られた値は従来の研削理論を用いて決定した計算値と良く一致した。コロイドSiO_2スラリーによる従来の研磨プロセスと比較して,提案した方法は,研磨パッドを必要とせずに,優れた研磨効率を示した。コア-シェル粒子のSEM観察から,粒子は電極間の強い電場に対する耐久性を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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特殊加工  ,  研削 
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