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J-GLOBAL ID：201702215518405997   整理番号：17A1421093

無線周波数(RF)プラズマ増強化学蒸着を用いたシリコン上のゲルマニウムの低温蒸着【Powered by NICT】

Low temperature deposition of germanium on silicon using Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

著者 (3件)： Dushaq Ghada (Department of Electrical Engineering and Computer Science, iMicro Center, MASDAR Institute, Building A1, PO Box 54224, Masdar City, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Rasras Mahmoud (Department of Electrical Engineering and Computer Science, iMicro Center, MASDAR Institute, Building A1, PO Box 54224, Masdar City, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  Nayfeh Ammar (Department of Electrical Engineering and Computer Science, iMicro Center, MASDAR Institute, Building A1, PO Box 54224, Masdar City, Abu Dhabi, United Arab Emirates)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 585-592  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコン(Si)上のゲルマニウム(Ge)膜の低温蒸着は,無線周波数(RF)プラズマ増強化学蒸着(RF PECVD)を用いて行った。2段温度技術および異なるGeH_4流量は,堆積過程中に採用されてきた。700nmのGe膜の構造と光学的性質を高分解能走査型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,透過型電子顕微鏡(TEM),X線回折(XRD),Raman分光法,および可変角度分光偏光解析法を用いて調べた。低温Geシード層の表面形態の研究は,0.5nmの低い表面粗さは豊富なH_2室におけるその場低温アニーリングで達成できることを明らかにした。,シード層のTEMによって画像化された同じ地域で採取した高速Fourier変換パターンは水素誘起結晶化による結晶性を示した。添加では,RF-PECVD法はプラズマ寄与により低温でナノ結晶成長を促進した。XRDデータは,四種類の配向した多結晶Ge層とSi基板上に43nmの平均結晶サイズを達成したことを示した。さらに,T<600°Cでの膜のポストアニーリング処理は,その電気的および輸送特性を向上させた。Ge-on-Siの光学特性を近赤外(1.5 1.6μm)で高い吸収係数(1.5μmでのバルクGeよりも約一桁)を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  Raman分光法 ,  ナノ結晶 ,  焼なまし ,  原子間力顕微鏡 ,  *ゲルマニウム ,  光学的性質 ,  *プラズマCVD ,  多結晶 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *低温 ,  X線回折 ,  *プラズマ ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ゲルマニウム上へのシリコン ,  高周波プラズマ増強化学蒸着 ,  低温蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 無線周波数 ,  RF ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  シリコン ,  ゲルマニウム ,  低温 ,  蒸着