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J-GLOBAL ID：201702215523002813   整理番号：17A1454151

新しい2側水素化物気相エピタキシャル成長による10~6cm~ 2範囲における超低転位密度の大型平面窒化ガリウムテンプレートの作製【Powered by NICT】

Fabrication of large flat gallium nitride templates with extremely low dislocation densities in the 10⁶ cm^-2 range by novel two-side hydride vapor-phase epitaxial growth

著者 (2件)： Fujikura Hajime (SCIOCS Co. Ltd., 880 Isagozawa-cho, Hitachi, Ibaraki 319-1418, Japan) ,  Konno Taichiro (SCIOCS Co. Ltd., 880 Isagozawa-cho, Hitachi, Ibaraki 319-1418, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 475  ページ： 208-215  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高平坦性(すなわち,無視できるウエハ湾曲と滑らかな成長したままの表面)と低い貫通転位密度(TTD)を用いた大規模GaNテンプレートは,新しい二側水素化物気相エピタキシャル(HVPE)成長により作製したウエハの裏面上の多結晶GaNの成長を開始した。自作のHVPEシステムで実現した適切なガスフロー管理は4あるいは6インチパターン化したサファイア基板(PSS)の表面上の滑らかな成長したままの表面と優れた厚さ均一性を持つGaN層の成長を可能にした。しかし,成長した厚さは20μmを超えると,片面HVPE成長GaN結晶の破壊を誘導した。GaNの破壊抵抗は著しく増加したが,開裂抵抗性多結晶形(ポリGaN)で,厚さ100μmのその成長を可能にした。裏面ポリGaN層の存在下では,骨折のないフロント側に成長させることができた非常に厚いGaN結晶層。4インチPSS上に二側面成長により作製された80μm厚のGaNテンプレートは,デバイス品質の表面,無視できる湾曲,および低いTDD(7× 10~6 cm~ 2)を有していた。高製造コストの問題,大型ウエハのアンアベイラビリティ,天然GaNウエハと関連した大きなオフ角変動は代替基質として高品質GaNテンプレートを用いて克服することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *転位密度 ,  基質 ,  *窒化ガリウム ,  *気相 ,  *水素化物 ,  パターン形成 ,  平坦性 ,  破壊強さ ,  *エピタクシー ,  *気相成長 ,  サファイア ,  品質 ,  多結晶
準シソーラス用語： 高品質 ,  サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1:転位 ,  A1:ウエハ湾曲 ,  A1表面 ,  A3:水素化物気相エピタクシー ,  B1:窒化物 ,  B1:サファイア

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素化物 ,  気相エピタキシャル成長 ,  転位密度 ,  大型 ,  窒化ガリウム ,  テンプレート ,  作製