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J-GLOBAL ID：201702215574654050   整理番号：17A0462211

電界電子放出特性へのグラフェンの結晶度効果のin situ研究

In situ study of graphene crystallinity effect on field electron emission characteristics

著者 (11件)： Tang Shuai (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Zhang Yu (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Xu Ningsheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Zhan Runze (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Gong Li (Instrumental Analysis and Research Center, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Zhao Peng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Chen Jian (Instrumental Analysis and Research Center, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Liang Chaolun (Instrumental Analysis and Research Center, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  She Juncong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, China)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 02C107-02C107-5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数層のグラフェン(FLG)の結晶度と電界電子放出特性とを,in situ透過型電子顕微鏡(TEM)により同時に調査し,それらの関係を明らかにした。単一のFLG層の結晶度は,TEMの電子ビーム照射により,多結晶から非晶質へと変化する。電界電子放出測定により,結晶度の劣化は電界電子放出特性に負の影響があることが示される。これはFLGの電気伝導率の著しい下落が原因と考えられる。この結果は,結晶度はFLGの電界電子放出の主要な因子であり,したがってFLGの結晶度を劣化させるような条件は避けるべきであることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電界放出 ,  *グラフェン ,  *結晶度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  その場観察 ,  電子照射 ,  アモルファス化 ,  *電気伝導率 ,  *照射損傷 ,  半導体
準シソーラス用語： 電界電子放出 ,  電気伝導度 ,  電子ビーム照射

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界電子放出 ,  グラフェン ,  結晶度 ,  研究