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J-GLOBAL ID：201702215612812556   整理番号：17A1549009

結晶シリコン中のホウ素-酸素欠陥の平衡濃度について【Powered by NICT】

On the equilibrium concentration of boron-oxygen defects in crystalline silicon

著者 (5件)： Walter D.C. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, Germany) ,  Falster R. (SunEdison Semiconductor, Via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy) ,  Voronkov V.V. (SunEdison Semiconductor, Via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy) ,  Schmidt J. (Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, Germany) ,  Schmidt J. (Department of Solar Energy, Institute of Solid-State Physics, Leibniz Universitaet Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hanover, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 173  ページ： 33-36  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は200と300°Cの間の比較的低い温度での長時間(150hまで)アニーリング後のほう素をドープしたCzochralski成長シリコン中のBO欠陥の平衡濃度を決定する試料処理後,BO濃度は必ずしも平衡状態に達していないことを示した。光誘起劣化(LID)は,実行される前に実際に達した状態は最終温度処理の詳細な温度分布に依存する。0.5と2.5Ωcmの範囲のベース抵抗で調べCz-Si材料に対して,著者らは,200°C,50hでのアニールは,平衡,ベース抵抗率の独立を確立することを観測した。種々の温度で行った実験は,平衡欠陥濃度はアニーリング温度の増加と共に減少することを明らかにした。この観察を理解でき,少なくとも二つの異なるシンク間の分布する移動種。可能な欠陥モデルを検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 試料調製 ,  電気抵抗率 ,  焼なまし ,  平衡状態 ,  *ホウ素 ,  ドーピング ,  温度分布
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  光誘起 ,  *平衡濃度 ,  *酸素欠陥 ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Czochralskiシリコン ,  ほう素-酸素欠陥 ,  キャリア寿命

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶シリコン ,  ホウ素 ,  酸素欠陥 ,  平衡濃度