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J-GLOBAL ID：201702215627828066   整理番号：17A1567876

ICPによるふっ素プラズマ処理を用いたエンハンスメントモードAlGaN/GaNナノワイヤチャネル高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】

Enhancement-Mode AlGaN/GaN Nanowire Channel High Electron Mobility Transistor With Fluorine Plasma Treatment by ICP

著者 (11件)： He Yunlong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Mi Minhan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Wang Chong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zheng Xuefeng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Meng (School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Hengshuang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Wu Ji (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Yang Ling (School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Peng (School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Ma Xiaohua (School of advanced materials and nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 10  ページ： 1421-1424  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導結合プラズマ(ICP)を用いたナノワイヤチャネルとフッ素プラズマ処理を組み合わせた新しいエンハンスメントモード(Eモード)AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)について報告した。従来のHEMTと比較して,EモードH EMTのしきい値電圧は 2.8から+0.7Vにシフトし,Schottky逆漏れ電流は1桁減少した。デバイスはV_GS-V_TH=2V高I_ON/I_OFF比約10~9でドレイン電流460mA/mmの優れた性能を示し,L_DS=4μmと138Vの高い破壊電圧が得られ,すなわち,従来のHEMTに比べて25%改善されたEモードH EMTの絶縁破壊電圧。ドレイン誘起障壁低下(DIBL)は4mV/V,70mV/decadeのサブしきい値スイング(SS)を達成した。素子は,22GHzの固有電流利得遮断周波数f_Tと60GHzの最大発振周波数f_maxを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *HEMT ,  漏れ電流 ,  *フッ素 ,  *プラズマ処理 ,  遮断周波数 ,  誘導結合プラズマ
準シソーラス用語： 発振周波数 ,  電流利得 ,  サブ閾値スイング ,  DIBL ,  絶縁破壊電圧 ,  ドレイン電流 ,  閾値電圧 ,  *AlGaN/GaN ,  *エンハンスメントモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ICP ,  ふっ素 ,  プラズマ処理 ,  エンハンスメントモード ,  AlGaN ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  チャネル ,  高電子移動度トランジスタ