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J-GLOBAL ID：201702215676838196   整理番号：17A0428528

圧電応答力顕微鏡によるマルチフェロイクBi_0.9La_0.1Fe_O3薄膜のドメインスイッチング

Domain switching in multiferroic Bi_0.9La_0.1FeO₃ thin films by SPM

著者 (4件)： JIA T.T. (National Inst. Materials Sci., JPN) ,  KIMURA H. (National Inst. Materials Sci., JPN) ,  CHENG Z.X. (Univ. Wollongong, AUS) ,  ZHAO H.Y. (Wuhan Inst. Technol., CHN)
資料名： 日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集
巻： 53rd  ページ： 7  発行年： 2016年11月02日 
JST資料番号： Y0049A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *磁性体 ,  強弾性 ,  強磁性 ,  強誘電性 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *磁気電気効果 ,  力顕微鏡 ,  磁気力顕微鏡 ,  撮像
準シソーラス用語： *マルチフェロイクス ,  *酸化鉄ビスマス ,  *磁気電気結合 ,  圧電応答力顕微鏡

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  磁気バブルデバイス  (NC03140P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 圧電応答力顕微鏡 ,  薄膜 ,  ドメインスイッチング