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J-GLOBAL ID：201702215920110794   整理番号：17A1478176

n-3C-SiCヘテロエピタキシャル層に及ぼす8MeVプロトン照射の影響

Effects of Irradiation with 8-MeV Protons on n-3C-SiC Heteroepitaxial Layers

著者 (10件)： LEBEDEV A. A. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  BER B. Ya. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  OGANESYAN G. A. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  BELOV S. V. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  LEBEDEV S. P. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  LEBEDEV S. P. (ITMO Univ., St. Petersburg, RUS) ,  NIKITINA I. P. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  SEREDOVA N. V. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  SHAKHOV L. V. (Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  KOZLOVSKI V. V. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 8  ページ： 1044-1046  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)は,大きな電子移動度有するが,そのバルク結晶は今まで成長できていないため,3C-SiCを得るための方法はヘテロエピタクシーである。本研究では,半絶縁性の4H-SiCポリタイプの基板に,真空中の昇華エピタクシーにより3C-SiCを成長した。この膜に8MeVのプロトンをドーズ量3.0×10¹⁴~6.0×10¹⁵cm^-2で照射し,Hall効果を測定し,電荷キャリア濃度と移動度に及ぼす影響を研究した。また光ルミネセンススペクトルを測定し,照射により発生する格子欠陥を研究した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  N型半導体 ,  *陽子照射 ,  キャリア移動度 ,  ポリタイプ ,  キャリア ,  キャリア密度 ,  Hall効果 ,  格子欠陥 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  *光ルミネセンス ,  *ヘテロエピタクシー ,  化合物半導体 ,  1-10MeV ,  *層
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  電荷キャリア ,  電子移動度

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3C-SiC ,  テロ ,  エピタキシャル層 ,  プロトン照射