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J-GLOBAL ID：201702216008684105   整理番号：17A0685831

電気化学堆積法によるNiO薄膜の作製

Fabrication of NiO thin film by electrochemical deposition

著者 (2件)： 古山実季 (名古屋工大) ,  市村正也 (名古屋工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 58(ED2017 15-26)  ページ： 11-16  発行年： 2017年05月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化ニッケル(NiO)薄膜は,透明導電性材料の中では数少ないp型半導体材料として注目されている。電気化学堆積(ECD)法と熱処理を用いて透明NiO薄膜が得られることがこれまでに報告されている。また,定電位堆積によるNiO薄膜で,約3.5eVのバンドギャップとp型の光応答が確認されている。今回は,定電流還元析出により作製し,その際の電流密度をパラメーターとしてNiO薄膜の析出速度,表面状態,光学特性ならびに電気的特性に与える影響を評価する。そして本研究では,気泡発生を伴う大電流での堆積において,透明・均一に薄膜作製できる事を見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ニッケル ,  P型半導体 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *電着 ,  薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  電気特性 ,  電解 ,  *透明導電膜
準シソーラス用語： *電気化学堆積

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• F. J. Morin, Phys. Rev., vol.93, p.1199, 1954
• E. J. W. Verwey, Chem. Weekblad., vol.44, p.705, 1948
• A. C. Sonavane, A. I. Inamdar, P. S. Shinde, H. P. Deshmukh, R. S. Patil, P. S. Patil, J. Alloy. Compd., vol.489, p.667, 2010
• H. Ohta, Appl. Phys. Lett., vol.83, p.1029, 2003
• J. S. E. M. Svensson, C. G. Granqvist, Appl. Phys. Lett., vol.49, p.1566, 1986

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気化学堆積 ,  薄膜 ,  作製