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J-GLOBAL ID：201702216224340193   整理番号：17A1382881

断面Raman分光法によって研究したMeVH+~+を注入したGaNと4H-SiCにおける欠陥形成【Powered by NICT】

Defect formation in MeV H⁺ implanted GaN and 4H-SiC investigated by cross-sectional Raman spectroscopy

著者 (16件)： Huang Kai (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Huang Kai (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Jia Qi (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Jia Qi (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  You Tiangui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Shibin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Shibin (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Lin Jiajie (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Lin Jiajie (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhang Runchun (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Runchun (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhou Min (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Yu Wenjie (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Ou Xin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Wang Xi (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 406  号： PB  ページ： 656-661  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 断面Raman分光法を用いて,欠陥形成と高エネルギーMeVイオンカットプロセス中のMeVのH~+を注入したバルクGaNと4H-SiCにおける欠陥回復を特性化することである。Raman強度は減少するが禁制モードは損傷領域で活性化されると,強度低下は損傷レベルに比例した。Ramanスペクトルはアニーリング後の損傷回復を検出に非常に敏感である。主ピーク強度は増加し,アニールしたGaNと4H-SiC試料の両方で消失禁止モード。異なる温度でアニールしたGaN試料のRamanスペクトルは,より高いアニーリング温度は損傷回復のためのより効率的であることを示唆した。が,SiCのRamanスペクトルは,より重い格子損傷と他のポリタイプクラスタにおける高い注入温度の結果は,アニールしたSiC試料中の高いアニーリング温度で発生したらしいことを示した。断面Raman分光法は,高エネルギーイオンカットプロセスにおける格子損傷と損傷回復を特性化するための直接的な方法である。欠陥特性評価のためにRutherford後方散乱分光法(RBS),核反応分析(NRA)と透過型電子顕微鏡(TEM)への高速補助測定法として役立つことができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  Raman強度 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *Raman分光法 ,  Rutherford散乱分光法 ,  Ramanスペクトル ,  *窒化ガリウム ,  イオン注入 ,  キャラクタリゼーション ,  核反応分析 ,  焼なまし
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  高エネルギー ,  *欠陥形成 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 断面Raman ,  MeVのHイオン注入 ,  イオンカット ,  GaN ,  SiC

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Raman分光法 ,  研究 ,  注入 ,  GaN ,  4H-SiC ,  欠陥形成