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J-GLOBAL ID：201702216239649029   整理番号：17A0759243

分裂活性層による柔軟な酸化物薄膜トランジスタの界面工学【Powered by NICT】

Top Interface Engineering of Flexible Oxide Thin-Film Transistors by Splitting Active Layer

著者 (3件)： Lee Suhui (Advanced Display Research Center (ADRC), Department of Information Display, Kyung Hee University, 26 Kyungheedae-ro, Dongdaemun-gu, Seoul, 02447, South Korea) ,  Shin Jiyeong (Advanced Display Research Center (ADRC), Department of Information Display, Kyung Hee University, 26 Kyungheedae-ro, Dongdaemun-gu, Seoul, 02447, South Korea) ,  Jang Jin (Advanced Display Research Center (ADRC), Department of Information Display, Kyung Hee University, 26 Kyungheedae-ro, Dongdaemun-gu, Seoul, 02447, South Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201604921  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリイミド基板上のバックチャネルエッチ(BCE)とエッチストッパー(ES)薄膜トランジスタ(TFT)の性能に及ぼす分裂活性層(非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛オキシド,a-IGZO)の影響を調べた。BCE TFTの性能は活性層分裂に依存しないが,ES TFTの性能は,活性層を分離チャネルに沿った2 4μm幅に著しく改善された。飽和移動度は24.3~76.8cm~2V~ 1s~ 1から増強され,この改善は,分割TFTのリング発振器の駆動によって確認された。スプリットa-IGZOのX線光電子分光法(XPS)分析は,島界面でのFの取り込みを示し,上部界面品質を改善し,0.25から24.22cmへ~2V~ 1s~ 1上部チャネルTFT移動度の顕著な改善をもたらした。この改善はXPSの結果によればトップ界面でのFとの結合と相関していた。ES a-IGZO TFTのバイアス安定性,ヒステリシス,及び機械的安定性は,a-IGZO活性層を分割することにより顕著に改善された。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  亜鉛 ,  *界面 ,  ヒステリシス ,  チャネル ,  *活性層 ,  X線光電子分光法 ,  非晶質 ,  移動度 ,  *酸化物 ,  品質 ,  インジウム ,  リング発振器 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フレキシブルトランジスタ ,  高移動度 ,  IGZO ,  分割活性層 ,  薄膜トランジスタ(TFT)

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 活性層 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  界面 ,  工学