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J-GLOBAL ID：201702216261257286   整理番号：17A0502823

ホウ素およびガリウム共ドープZnO膜の特性の基板温度および厚み依存性

Substrate temperature and thickness dependence of properties of boron and gallium co-doped ZnO films

著者 (9件)： YANG J. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  HUANG J. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  LU Y. X. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  JI H. H. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG L. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  TANG K. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  CAO M. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  HU Y. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG L. J. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Surface Engineering  (Surface Engineering)
巻： 33  号： 3/4  ページ： 270-275  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： A0614C  ISSN： 0267-0844  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物(TCO)半導体は,パネルディスプレイ,LED,太陽電池などのほとんどのオプトエレクトロニクスデバイスで必須である。最近,Al,In,BおよびGaドープZnOなどの不純物ドープZnOがITOに代替するTCO材料として注目されている。本研究では,高周波マグネトロンスパッタリングを用い,基板温度および膜厚を変化したBおよびGa共ドープ酸化亜鉛(BGZO)膜を作製し,電気的性質,光学的性質および構造特性に及ぼす影響を調べた。得られた膜は(002)方向に優先配向した六方晶構造の多結晶であった。膜厚および基板温度の上昇と共に粒サイズおよびFWHMが低下し,キャリア移動度が増加して抵抗が低下したことから,結晶性および導電性の向上が示唆された。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  ガリウム ,  酸化インジウムスズ ,  スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  基板温度 ,  堆積速度 ,  微細構造 ,  結晶構造 ,  結晶方位 ,  結晶度 ,  優先配向 ,  FWHM ,  六方晶系 ,  電気的性質 ,  光学的性質 ,  透過率 ,  キャリア移動度 ,  電気伝導率 ,  電気抵抗率 ,  X線回折分析 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： *透明導電性酸化物 ,  共ドーピング ,  代替材料 ,  ITO ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  膜厚依存性 ,  微細組織 ,  結晶配向 ,  結晶性 ,  光透過率 ,  走査電子顕微鏡法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホウ素 ,  ガリウム ,  ドープ ,  ZnO ,  基板温度 ,  厚み依存性