YANG J. について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
HUANG J. について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
LU Y. X. について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
JI H. H. について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
ZHANG L. について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
TANG K. について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
WANG L. J. について
Shanghai Univ., Shanghai, CHN について
Surface Engineering について
薄膜成長 について
化合物半導体 について
酸化物 について
酸化亜鉛 について
ドーピング について
ホウ素 について
ガリウム について
酸化インジウムスズ について
スパッタ蒸着 について
マグネトロンスパッタリング について
基板温度 について
堆積速度 について
微細構造 について
結晶構造 について
結晶方位 について
結晶度 について
優先配向 について
FWHM について
六方晶系 について
電気的性質 について
光学的性質 について
透過率 について
キャリア移動度 について
電気伝導率 について
電気抵抗率 について
X線回折分析 について
電子顕微鏡観察 について
透明導電性酸化物 について
共ドーピング について
代替材料 について
ITO について
高周波マグネトロンスパッタリング について
膜厚依存性 について
微細組織 について
結晶配向 について
結晶性 について
光透過率 について
走査電子顕微鏡法 について
酸化物薄膜 について
ホウ素 について
ガリウム について
ドープ について
ZnO について
基板温度 について
厚み依存性 について