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J-GLOBAL ID：201702216266758575   整理番号：17A0933002

UV/オゾン処理によるニッケル酸化物(NiO_x)の電子特性変化の研究

Investigation of the Changes in Electronic Properties of Nickel Oxide (NiO_x) Due to UV/Ozone Treatment

著者 (10件)： ISLAM Raisul (Stanford Univ., California, USA) ,  CHEN Gang (Colorado School of Mines, Colorado, USA) ,  RAMESH Pranav (Stanford Univ., California, USA) ,  SUH Junkyo (Stanford Univ., California, USA) ,  FUCHIGAMI Nobi (Intermolecular Inc., California, USA) ,  LEE Donovan (Intermolecular Inc., California, USA) ,  LITTAU Karl A. (Intermolecular Inc., California, USA) ,  WEINER Kurt (Intermolecular Inc., California, USA) ,  COLLINS Reuben T. (Colorado School of Mines, Colorado, USA) ,  SARASWAT Krishna C. (Stanford Univ., California, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 20  ページ： 17201-17207  発行年： 2017年05月24日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス板上にぎ酸ニッケル二水和物/エチレングリコール/エチレンジアミン混合液のスピンコーティングと300°C/1h熱処理を繰り返し,厚さ10nmのNiO_x薄膜を形成させ,UV(184.9nm+253.7nm)/オゾン処理を施した。その前後での表面構造をAFMにより,化学組成分布を角度分解XPEにより測定し,オゾン処理により,表面だけではなく内部にもNi欠損と酸素に富むNiO_xが生じ,その結果P型半導体挙動を示した。p型SiO₂/NiO_x中間層/接触金属層/PtキャップからなるMIS接触デバイスを作成し,NiO_x薄膜の電気抵抗とイオン化ポテンシャルをUV/オゾン処理時間の関数として測定した結果,UV/オゾン処理時間の増加に伴う,Schottky障壁高と電気抵抗減少が認められた。この挙動はUV/オゾン処理時間依存性Ni欠陥分布の変化によるFermiレベルピン止め効果の変化に起因することをエネルギーバンドダイアグラムにより明らかにした。

シソーラス用語： *オゾン ,  *紫外線 ,  *酸化ニッケル ,  物理的性質 ,  スピンコーティング ,  熱処理 ,  *薄膜 ,  表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  化学組成 ,  角度分解分光法 ,  X線光電子分光法 ,  *格子欠陥 ,  P型半導体 ,  二酸化ケイ素 ,  金属薄膜 ,  白金 ,  半導体素子 ,  電気抵抗 ,  イオン化ポテンシャル ,  加工時間 ,  Schottky障壁 ,  ピン止め ,  バンドギャップ ,  脂肪族アルコール ,  ジオール ,  アルキレンジアミン ,  ジアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： *Fermiレベルピン止め ,  *MISデバイス ,  エネルギーバンドギャップ ,  *電子物性

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (3件)： エチレングリコール ,  エチレンジアミン ,  ぎ酸ニッケル

タイトルに関連する用語 (4件)： オゾン処理 ,  ニッケル酸化物 ,  電子 ,  研究