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J-GLOBAL ID：201702216289564259   整理番号：17A0539843

ウエハースケールmultidyad封止された非常に安定した二次元材料(2DM)電界効果トランジスタ(FET)

Highly stable 2D material (2DM) field-effect transistors (FETs) with wafer-scale multidyad encapsulation

著者 (12件)： KIM Choong-Ki (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  JEONG Eun Gyo (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  KIM Eungtaek (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  SONG Jeong-Gyu (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  KIM Youngjun (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  WOO Whang Je (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Myung Keun (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  BAE Hagyoul (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  JEON Seong-Bae (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  KIM Hyungjun (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Kyung Cheol (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHOI Yang-Kyu (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 5  ページ： 055203,1-7  発行年： 2017年02月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元伝導を行う遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)材料を,電界効果トランジスタ(FET)のチャネル材料として利用することが検討されていた。その理由は,移動度が大きく,透明性も高く,かつフレキシブル性を有するFETを製造できる可能性を持っているためであった。ところが,これらの材料は極めて薄いためにチャネル近傍に吸着する水蒸気などの不純物によって,不安定な電気特性を示していた。そのため,筆者らは,従来から個々の有機発光素子をパッケージするために用いられていたmultidyad封止技術を,TMD-FETの封止に利用することを考えた。実際に,MoD₂FETにmultidyad封止法を適用し,耐久性を1ヶ月間保証した。multidyad封止法とは,スピンコーティングによるポリマー層と原子層堆積(ALD)によって堆積されたAl₂O₃層を交互に積層した封止構造を使用するものであった。

シソーラス用語： 電気伝導 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *材料 ,  スピンコーティング ,  化学蒸着 ,  *電子系
準シソーラス用語： 電子伝導 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  *TFET ,  *封止材料 ,  原子層堆積 ,  *二次元電子系

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウエハース ,  ケール ,  封止 ,  二次元材料 ,  電界効果トランジスタ ,  FET