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J-GLOBAL ID：201702216348816767   整理番号：17A1476659

強磁性半導体GeFeを利用した磁気トンネル接合

著者 (3件)： 岡本浩平 (東大) ,  田中雅明 (東大) ,  大矢忍 (東大)
資料名： 東京大学低温センター年報  (東京大学低温センター年次報告)
号： 8  ページ： 58-61  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： F1229A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・Fe/MgO/GeFeの構成による磁気トンネル接合(MTJ)素子を作製。
・IV族強磁性半導体を利用したMTJにおけるトンネル磁気抵抗効果(TMR)を観測。
・サンプル構造Fe(18nm)/MgO(dnm)/Ge_1-xFe_x(60nm)/バッファ層Ge:B(85nm)/p⁺Ge(001)基板をMBE成長により作製。
・Ge基板の試料[110]方向のTEM像を観察。
・3.5K温度で磁気抵抗を,そして温度依存性を測定。
・GeFeにおけるキャリアのスピン偏極の存在を確認。
・磁気抵抗効果の計算を実行。
・磁気円二色性測定データを用い,Fe磁化曲線には5mTの保磁力をもつ矩形ヒステリシスを仮定。
・実験の再現性を確認。
・GeFeがスピン注入/検出デバイスとして応用可能であると判明。

シソーラス用語： MBE成長 ,  *強磁性半導体 ,  *金属薄膜 ,  合金 ,  *トンネル接合 ,  *磁気抵抗効果 ,  素子構造 ,  注入 ,  スピン分極 ,  温度依存性 ,  RHEED ,  磁気円二色性 ,  曲線 ,  磁化特性 ,  トンネル効果 ,  *スピントロニクス ,  電子スピン
準シソーラス用語： スピントンネル効果 ,  スピン注入 ,  合金薄膜 ,  磁化曲線 ,  磁気トンネル接合

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (9件)：

• Y Shuto et al., J. Apll. Phys. 99, 08D516 (2006).
• Y. K. Wakabayashi et al. Phys. Rev. B 90, 205209 (2014).
• Y. Shuto et al., Jpn. J. Apll. Phys. 47, 7108 (2008).
• Y Ban et al., AIP Adv. 4, 097108 (2014).
• W. H. Butler et al., Phys. Rev. B 53, 054416 (2001).

タイトルに関連する用語 (2件)： 強磁性半導体 ,  磁気トンネル接合